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創見推全新DDR5記憶體模組

創見推全新DDR5記憶體模組

創見指出,該公司最新DDR5記憶體模組速度最高提升至5600MT/s,擁有超高頻寬、低功耗優勢,相比DDR4 3200傳輸效能大幅增長,提升巨量資料的穩定傳輸速度。兩組完全獨立的32位元子通道傳輸架構,縮短資料載入時間,減少系統存取延遲。

有別於DDR4世代,DDR5工作電壓降低至1.1V,並搭載電源管理IC(PMIC),更能有效控制系統電源負載,電源轉換效率提高,提升訊號完整性,進而優化系統能源效率。

爲實現更高工作效能,DDR5記憶體模組在容量、資料密度方面皆有所突破,但由於製程微縮技術,衍伸出較高的資料錯誤風險,因此,內建On-Die ECC資料糾錯機制,能夠偵測、修正儲存單位中的位元錯誤,有效提高資料正確性,改善訊號容錯率,強化高階應用在可靠度、可用性與可維護性等方面的能力。

此外,創見針對嚴苛工業應用環境挑戰,提供標準溫(0°C~95°C)和寬溫(-40°C~95°C)規格,確保最高穩定性與可靠度。

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